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在實(shí)際的工藝操作中，旋涂顯影系統(tǒng)的操作流程嚴(yán)謹(jǐn)且規(guī)范，將經(jīng)過(guò)預(yù)處理的硅片放置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)上，并通過(guò)真空吸附或其他固定裝置確保硅片在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中不會(huì)發(fā)生位移或晃動(dòng)。然后，根據(jù)工藝要求選擇合適的光刻膠，并利用膠液分配裝置將光刻膠施加到硅片表面。接著，...

薄膜沉積系統(tǒng)作為現(xiàn)代材料科學(xué)與微納加工技術(shù)領(lǐng)域中的核心設(shè)備之一，其發(fā)展與應(yīng)用深刻影響著半導(dǎo)體制造、光學(xué)鍍膜、能源材料開(kāi)發(fā)以及生物醫(yī)學(xué)工程等多個(gè)前沿領(lǐng)域。該系統(tǒng)通過(guò)精確控制原子或分子在基底表面的沉積過(guò)程，形成具有特定功能特性的薄膜結(jié)構(gòu)，為器件...

太陽(yáng)能電池大多由單晶硅或多晶硅制成，將晶硅錠加工成太陽(yáng)能電池需要一系列制造工藝，包括晶圓切割、制絨、酸洗、擴(kuò)散、刻蝕、減反膜沉積、激光開(kāi)槽、接觸印刷等。下圖為工藝流程中的測(cè)量節(jié)點(diǎn)。太陽(yáng)能電池工藝流程中的量測(cè)節(jié)點(diǎn),包括金剛石切割線的表面形貌、...

在半導(dǎo)體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經(jīng)過(guò)金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導(dǎo)電連接。對(duì)于半導(dǎo)體、PCB、平板顯示器、太陽(yáng)能應(yīng)用和研發(fā)等不同行業(yè)，對(duì)各種金屬層（包括導(dǎo)電薄膜、粘附層和其他導(dǎo)電層）都有各種各樣的電...

電池的應(yīng)用極為廣泛，其通常以電化學(xué)反應(yīng)池的形式為各類裝置供電。電池內(nèi)在失效和劣化對(duì)電池性能有重大影響，而其機(jī)制依賴于不同組成材料之間的電化學(xué)反應(yīng)和納米力學(xué)相互作用。下一代電池要求高能量密度和高充放電倍率（C-rate，充放電速率的一種衡量標(biāo)...

隨著器件尺寸不斷縮小，表面翹曲度可能引發(fā)一些問(wèn)題從而影響器件的正常功能。在半導(dǎo)體中，薄膜應(yīng)力對(duì)半導(dǎo)體能帶隙偏移、超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度和磁各向異性等電子特性有直接影響。在器件制造過(guò)程中，監(jiān)控因薄膜沉積而產(chǎn)生的應(yīng)力至關(guān)重要。在薄膜層面，應(yīng)力通常會(huì)影響薄...

圖像轉(zhuǎn)移，也稱為光刻技術(shù)（或簡(jiǎn)稱光刻），在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。它能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和精確的連接，以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接。隨著對(duì)更高密度的電路板和更小線寬間距的需求不斷增加，線路必須以高精度和均勻度制成。針對(duì)先進(jìn)應(yīng)用，各種先進(jìn)I...

鈣鈦礦材料因其優(yōu)異的光電特性，近年來(lái)一直受到高度關(guān)注。相應(yīng)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在柔性太陽(yáng)能電池領(lǐng)域和疊層太陽(yáng)能電池領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用前景。早在2009年，鉛基鈣鈦礦材料第一次被應(yīng)用到太陽(yáng)能電池中，其光電轉(zhuǎn)化效率為3.8%1。近些年來(lái)，通過(guò)組分調(diào)...

在全球各國(guó)努力減少碳足跡與追尋可持續(xù)能源的大背景下，太陽(yáng)能行業(yè)經(jīng)歷了顯著增長(zhǎng)。在基于晶體硅(c-Si)的多種工藝路線中，隧穿鈍化接觸太陽(yáng)能電池(TOPCon)因其高光伏轉(zhuǎn)換效率(PCE)和高性價(jià)比而脫穎而出。目前工業(yè)TOPCon電池的最高P...

等離子刻蝕ICP(InductivelyCoupledPlasmaEtching)是一種微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造和微納加工領(lǐng)域中。一、等離子刻蝕ICP的原理1.等離子體的產(chǎn)生：-ICP刻蝕利用高頻電場(chǎng)激勵(lì)氣體，使其電離形成等離...