AT-400原子層沉積是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒?。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原了層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。原子層淀積（ALD）是超越CVD的技術(shù)，它是當(dāng)需要準(zhǔn)確控制沉積厚度、臺(tái)階覆蓋和保形性時(shí)應(yīng)選用的新技術(shù)。在ALD進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)時(shí)，將適當(dāng)?shù)那膀?qū)反應(yīng)氣體以脈沖方式通入反應(yīng)器中，隨后再通入惰性氣體進(jìn)行清洗，對(duì)隨后的每一沉積層都重復(fù)這樣的程序。

 

　　ALD沉積的關(guān)鍵要素是它在沉積過程中具有白限制特性，能在非常寬的1.藝窗口中一個(gè)單層、一個(gè)單層地重復(fù)生長(zhǎng)，所生長(zhǎng)的薄膜沒有針孔、均勻、且對(duì)薄膜圖形的保形性好。原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)器并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)，形成沉積膜的一種方法。當(dāng)前軀體達(dá)到沉積基體表面，它們會(huì)在其表面化學(xué)吸附并發(fā)生表面反應(yīng)。

 

　　在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對(duì)原子層沉積反應(yīng)器進(jìn)行清洗。由此可知沉積反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學(xué)吸附是實(shí)現(xiàn)原子層沉積的關(guān)鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進(jìn)行物理吸附，但是要實(shí)現(xiàn)在材料表面的化學(xué)吸附必須具有一定的活化能，因此能否實(shí)現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應(yīng)前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。

 

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