發(fā)布時(shí)間: 2021-11-25 點(diǎn)擊次數(shù): 876次
靜態(tài)滴膠就是簡(jiǎn)單地把光刻膠滴注到靜止的基片表面的中心,滴膠量為1-10ml不等。滴膠的多少應(yīng)根據(jù)光刻膠的粘度和基片的大小來確定。粘度比較高和/或基片比較大,往往需要滴較多的膠,以保證在高速旋轉(zhuǎn)階段整個(gè)基片上都涂到膠。動(dòng)態(tài)滴膠方式是在基片低速(通常在500轉(zhuǎn)/分左右)旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行滴膠,“動(dòng)態(tài)”的作用是讓光刻膠容易在基片上鋪展開,減少光刻膠的浪費(fèi),采用動(dòng)態(tài)滴膠不需要很多光刻膠就能潤濕(鋪展覆蓋)整個(gè)基片表面。尤其是當(dāng)光刻膠或基片本身潤濕性不好的情況下,動(dòng)態(tài)滴膠尤其適用,不會(huì)產(chǎn)生針孔。
微波等離子去膠機(jī)使用注意事項(xiàng):
1.使用前氣路檢查;使用前主要檢查設(shè)備與真空泵和氮?dú)馄康慕涌谑欠衤猓?/div>
2.遵守啟動(dòng)順序;實(shí)驗(yàn)時(shí),依次打開設(shè)備電源開關(guān),氮?dú)?干燥氣體瓶閥門,真空開關(guān),結(jié)束時(shí),先關(guān)真空,再關(guān)氮?dú)?干燥氣體瓶閥門;
3.氮?dú)?干燥氣體的壓力控制不宜過大;建議氮?dú)馄繗鈮簭?.35MPa起緩慢上調(diào),直至設(shè)備控制面板上的CDA停止閃爍即停止調(diào)整;
4.嚴(yán)防超載;嚴(yán)禁放置超出設(shè)備限定范圍的過大過重材料,否則將會(huì)損壞設(shè)備的旋控精度;
6.綠色環(huán)保實(shí)驗(yàn);對(duì)于廢液廢氣的排放和處置,請(qǐng)遵守試劑使用的相關(guān)環(huán)保說明;
7.保持設(shè)備清潔;實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,請(qǐng)拭去設(shè)備內(nèi)腔殘留物,并清空廢液接收罐,使用原片遮住Chuck,將設(shè)備用塑料封套蓋好以避污染;
8.真空泵不宜長時(shí)間無負(fù)載運(yùn)行;實(shí)驗(yàn)期間設(shè)備閑置時(shí),為了保護(hù)好泵的工作性能,請(qǐng)關(guān)閉真室泵,建議泵的連續(xù)作業(yè)不超過1小時(shí)。
微波等離子去膠機(jī)的工藝特點(diǎn)要求硅片在托盤真空吸力的作用下隨主軸一起高速旋轉(zhuǎn),因此勻膠托盤的幾何參數(shù)將對(duì)被吸附的硅片形變產(chǎn)生一定的影響,而過大的硅片形變將影響其表面形貌和平面度,從而影響光刻膠的均勻性。通過數(shù)值解和解析解,指出隨著勻膠膜厚的變薄,其受表面形貌的影響將增大;通過數(shù)學(xué)模型和計(jì)算機(jī)模擬分析了離心轉(zhuǎn)數(shù)等參數(shù)對(duì)旋涂性能的影響規(guī)律,并通過實(shí)驗(yàn)分析指出基底不平將直接導(dǎo)致涂膠均勻性變差,從而使集成電路芯片顯影后線條黑白比改變。